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IRFS3207TRLPBF  与  IPB054N08N3 G  区别

型号 IRFS3207TRLPBF IPB054N08N3 G
唯样编号 A-IRFS3207TRLPBF A-IPB054N08N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@75A,10V 4.6mΩ
上升时间 - 66ns
Qg-栅极电荷 - 69nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 52S
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 180A 80A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
下降时间 - 10ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3.5V @ 90µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 50V 4750pF @ 40V
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 75V 80V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 150W
典型关闭延迟时间 - 38ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 18ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V 69nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3207TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@75A,10V N-Channel 75V 180A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 10,000 对比
BUK964R4-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK964R4-40B_SOT404 N-Channel 254W 175℃ 1.5V 40V 75A

¥13.8161 

阶梯数 价格
200: ¥13.8161
400: ¥11.3246
800: ¥9.8475
0 对比
PSMN4R4-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R4-80BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 80V 100A

暂无价格 0 对比
IPB054N08N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N08N3GATMA1_-55°C~175°C(TJ) 80V 80A 4.6mΩ 20V 150W N-Channel

暂无价格 0 对比
BUK964R4-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK964R4-40B_SOT404 N-Channel 254W 175℃ 1.5V 40V 75A

暂无价格 0 对比

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